晶背FIB线路修改(Backside FIB)
FIB在芯片开发过程中，FIB 已是广为使用的电路修改工具；目前的施作方式主要由芯片正面进行，但随着制程与封装技术演进面临到两大挑战：
覆晶封装：因封装基材的限制无法从芯片正面施工，FIB电路修改须从晶背(Silicon)来进行。
金属层数增加：随着制程演进，IC 所用的金属绕线层数增加,用传统方式由芯片正面对底层的金属绕线作修改难度越来越高。
宜特已于数年前开始建立晶背 FIB 施工的相关技术，有实际经验可提供客户相关服务。若须进一步信息，请联络我们。
关于宜特：
iST始创于1994年的台湾，主要以提供集成电路行业可靠性验证、失效分析、材料分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海，全球现已有7座实验室12个服务据点，目前已然成为深具影响力之芯片验证第三方实验室。
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