服务电话：
新闻中心
您当前的位置：首页 > 新闻中心
-
17
2025-06
星期 二
-
无锡一体化管式炉低压化学气相沉积系统 赛瑞达智能电子装备供应
管式炉的气体供应系统是确保半导体工艺顺利进行的重要组成部分。该系统负责精确控制通入炉内的反应气体和保护气体的流量、压力与纯度。反应气体如硅烷、磷烷等，在半导体工艺中参与化学反应，其流量和纯度直接影响工艺效果。例如在硅外延生长中，硅
-
17
2025-06
星期 二
-
无锡6英寸管式炉氧化炉 赛瑞达智能电子装备供应
在半导体制造中，成本控制是企业关注的重点，管式炉在这方面发挥着重要作用。一方面，管式炉的高效节能设计降低了能源消耗，减少了生产成本。通过优化加热元件和保温结构，提高能源利用率，降低单位产品的能耗成本。另一方面，精确的工艺控制提高了
-
17
2025-06
星期 二
-
无锡8吋管式炉化学气相沉积 赛瑞达智能电子装备供应
管式炉精确控制的氧化层厚度和质量，直接影响到蚀刻过程中掩蔽的效果。如果氧化层厚度不均匀或存在缺陷，可能会导致蚀刻过程中出现过刻蚀或蚀刻不足的情况，影响电路结构的精确性。同样，扩散工艺形成的P-N结等结构，也需要在蚀刻过程中进行精确
-
17
2025-06
星期 二
-
无锡6吋管式炉非掺杂POLY工艺 赛瑞达智能电子装备供应
确保管式炉温度均匀性是实现高质量半导体工艺的关键。为达到这一目标，管式炉采用多种设计手段。一方面，加热元件的布局经过精心设计，呈环绕或分段式均匀分布在炉管周围，保证热量均匀辐射至炉管内。另一方面，炉内设置了气体导流装置，通过合理引
-
17
2025-06
星期 二
-
无锡8吋管式炉化学气相沉积CVD设备TEOS工艺 赛瑞达智能电子装备供应
管式炉在半导体制造中广泛应用于晶圆退火工艺，其均匀的温度控制和稳定的气氛环境对器件性能至关重要。例如，在硅晶圆制造中，高温退火（800°C–1200°C）可修复离子注入后的晶格损伤，***掺杂原子。管式炉通过多区加热和精密热电偶调
推荐资讯